摩根士丹利看好DRAM胜过NAND，预测NAND需求2027年达609EB短缺9%

摩根 年增率达60%，士丹M胜受限的求年缺先进制造产能限制供给扩张，这将导致2026年供应短缺15%、达EB短供应商与大型客户签订的摩根合约通常设有价格上下限，使获利及现金流稳定度较以往大幅提升。士丹M胜以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。求年缺报告指出，达EB短摩根士丹利因此建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，摩根长期供货协议已逐渐改变记忆体价格波动模式，士丹M胜来自AI与服务器的求年缺更强需求能见度、AI驱动的达EB短NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，报告认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的摩根长期合约机制、摩根士丹利7月2日发布报告预测，士丹M胜并偏好芯片制造商胜于模组厂商。求年缺2027年短缺9%。