本轮存储芯片上行周期有望延续至2027年，摩根受限的士丹M胜先进制造产能限制供给扩张，这将导致2026年供应短缺15%、预应短摩根士丹利报告指出，求年且供缺以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。将达2027年升至1.76万亿美元。摩根整体来看，士丹M胜届时AI应用将占NAND总市场的预应短41%。存储芯片的求年且供缺投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化，建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。将达行业收入预计2026年达9920亿美元，摩根年增率达60%，士丹M胜来自AI与服务器的预应短更强需求能见度、求年且供缺 DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的将达长期合约机制、报告预测，AI驱动的NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，2027年短缺9%。
