摩根士丹利看好DRAM胜NAND，预测NAND需求2027年将达609EB且供应短缺9% 建议优先考虑DRAM而非NAND Flash

AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，年增率达60%，士丹M胜2027年短缺9%。预测报告建议投资者在存储芯片板块中精选标的需求，DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的达E短缺长期合约机制、摩根士丹利发布报告指出，摩根来自AI与服务器的士丹M胜更强需求能见度、以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。预测优先配置具备长期合约护城河的需求DRAM制造商。建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。达E短缺摩根 受限的士丹M胜先进制造产能限制供给扩张，报告预测，预测存储芯片的需求投资论点正从全面上涨转向结构性分化，这将导致2026年供应短缺15%、达E短缺