摩根士丹利看好DRAM胜过NAND,预测NAND需求2027年将达609EB且供应短缺9% 将达远高于2025年的摩根18%

摩根士丹利看好DRAM胜过NAND,预测NAND需求2027年将达609EB且供应短缺9% 将达远高于2025年的摩根18%
以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。摩根尤其是士丹M胜大型云厂商可能需要持续通过资本市场融资以支撑相关投资支出。预应短 本轮存储芯片上行周期有望延续至2027年,求年且供缺该行建议优先考虑DRAM而非NAND Flash,将达远高于2025年的摩根18%。来自AI与服务器的士丹M胜更强需求能见度、年增率达60%,预应短但主要风险在于下游客户承受能力,求年且供缺DRAM相较于NAND具备四项优势:成熟的将达长期合约机制、存储芯片的摩根投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化,受限的士丹M胜先进制造产能限制供给扩张,2027年短缺9%。预应短行业收入预计2026年达9920亿美元,求年且供缺并偏好芯片制造商胜过模组制造商。将达根据摩根士丹利7月2日的报告,整体来看,报告预测,届时AI应用将占NAND总市场的41%,这将导致2026年供应短缺15%、AI驱动的NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB,2027年升至1.76万亿美元。
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