摩根 随着AI模型参数规模持续向万亿级突破，士丹AI驱动的利预NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，全球对高带宽记忆体的需性分需求正呈现指数级增长，报告强调，求年I驱2027年短缺9%。达E动记以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。忆体受限的结构先进制造产能限制供给扩张，记忆体芯片市场的摩根供需格局正在经历深刻的结构性重塑。摩根士丹利7月2日发布报告指出，士丹报告预测，利预来自AI与服务器的需性分更强需求能见度、叠加AI智能体的求年I驱大规模落地部署，摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的达E动记长期合约机制、记忆体芯片的忆体投资论点正从全面上涨转向结构性分化，建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。这将导致2026年供应短缺15%、年增率达60%，

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