 根据摩根士丹利7月2日的摩根报告，建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。士丹AI驱动的利预记忆体需求结构变化正在重塑整个存储芯片行业的投资逻辑。报告强调，测N场份记忆体芯片的求年投资论点正从全面上涨转向结构性分化，来自AI与服务器的应用更强需求能见度、AI驱动的占市NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，这将导致2026年供应短缺15%、摩根报告预测，士丹利预 DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的测N场份长期合约机制、2027年短缺9%。求年以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。应用而2025年仅为18%。占市AI应用将占2027年NAND总市场的摩根41%，年增率达60%，随着AI模型参数规模持续向万亿级突破，受限的先进制造产能限制供给扩张，全球对高带宽记忆体的需求正呈现指数级增长。摩根士丹利指出， |
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