摩根士丹利看好DRAM胜过NAND，预测NAND需求2027年将达609EB且供应短缺9% 建议优先考虑DRAM而非NAND Flash

建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，摩根存储芯片的士丹M胜投资逻辑正从全面上涨转向结构性分化，报告预测，预应短根据摩根士丹利7月2日的求年且供缺报告，年增率达60%。将达并偏好芯片制造商胜过模组制造商。摩根DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的士丹M胜长期合约机制、AI驱动的预应短NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，来自AI与服务器的求年且供缺更强需求能见度、将达 以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。摩根这将导致2026年供应短缺15%、士丹M胜受限的预应短先进制造产能限制供给扩张，2027年短缺9%。求年且供缺