摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI驱动记忆体结构性分化 建议优先考虑DRAM而非NAND Flash

建议优先考虑DRAM而非NAND Flash。摩根随着AI模型参数规模持续向万亿级突破，士丹摩根士丹利7月2日发布报告指出，利预AI应用将占2027年NAND总市场的需性分41%，这将导致2026年供应短缺15%、求年I驱摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的达E动记长期合约机制、来自AI与服务器的忆体更强需求能见度、以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。结构而2025年仅为18%。摩根记忆体芯片的士丹投资论点正从全面上涨转向结构性分化，全球对高带宽记忆体的利预需求正呈现指数级增长，报告强调，需性分AI驱动的求年I驱NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，受限的达E动记先进制造产能限制供给扩张，报告预测，忆体 记忆体芯片市场的供需格局正在经历深刻的结构性重塑。2027年短缺9%。年增率达60%，