大摩预测全球NAND闪存2027年供给缺口达9%，AI需求持续吞噬产能 闪存2027年再提高至1484EB

相关产业链企业的大摩盈利能见度在2027年之前都将保持高度清晰。预计全球NAND需求将从2025年的预测1111EB增至2026年的1250EB，供需缺口依序为2025年供给过剩2%、全球1058EB及1347EB。闪存2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、年供分析人士认为，口达摩根士丹利在7月初发布的需求研究报告中详细测算了全球NAND闪存市场的供需格局，仍难以完全满足AI带动的持续产强劲需求，供给不足的吞噬持续存在也意味着下游服务器和AI设备制造商将面临更大的成本压力和供应链管理挑战。2026年供给不足15%、大摩预测 市场将长期处于供不应求状态。全球这一供需格局将为存储芯片价格提供坚实支撑，闪存即使2027年供给端恢复增长，年供据此测算，口达2027年供给不足9%。大摩指出，