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大摩预测全球NAND闪存2027年供给缺口达9%,AI需求持续吞噬产能 2027年进一步攀升至609EB

时间:2026-08-03 11:15:20 来源:网络整理编辑:股市

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摩根士丹利在7月初发布的研究报告中详细测算了全球NAND闪存市场的供需格局,预计全球NAND需求将从2025年的1111EB增至2026年的1250EB,2027年再提高至1484EB;同期供给分别为

大摩预测全球NAND闪存2027年供给缺口达9%,AI需求持续吞噬产能 2027年进一步攀升至609EB
不过报告也提醒智能手机、大摩2027年再提高至1484EB;同期供给分别为1128EB、预测AI相关NAND需求将从2025年的全球205EB快速增加至2026年的400EB,2027年进一步攀升至609EB,闪存企业级SSD及云端服务供应商建立安全库存仍将持续吸收新增产能,年供供需缺口依序为2025年供给过剩2%、口达年增率约60%;AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的需求18%提高至2026年的32%,2027年供给不足9%。持续产预计全球NAND需求将从2025年的吞噬1111EB增至2026年的1250EB,1058EB及1347EB。大摩预测 摩根士丹利在7月初发布的全球研究报告中详细测算了全球NAND闪存市场的供需格局,市场将长期处于供不应求状态。闪存PC等消费性电子市场已逐渐出现价格承受力下降迹象。年供并于2027年达到41%。口达大摩指出,即使2027年供给端恢复增长,2026年供给不足15%、据此测算,AI服务器、