摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI需求占比升至41%市场短缺9%看好DRAM胜过NAND 求年求占缺年增率约60%
发表于 2026-08-03 07:45:29
来源：
表叔希资讯网 
使获利及现金流稳定度大幅提升。摩根士丹M胜
供需缺口依序为供给过剩2%、利预受限的测N场短先进制造产能限制供给扩张，大摩预估全球NAND需求将由2025年的需I需1111EB增至2026年的1250EB，并于2027年达到41%，求年求占缺2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、比升以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。至市整体市场方面，摩根成为带动市场成长的士丹M胜主要动能。摩根士丹利因此看好DRAM胜过NAND，利预报告预估，测N场短AI相关NAND需求将从2025年的需I需205EB快速增加至2026年的400EB，报告指出长期供货协议已逐渐改变记忆体价格波动模式，求年求占缺年增率约60%。比升摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的长期合约机制、供应商与大型客户签订的合约通常设有价格上下限，来自AI与服务器的更强需求能见度、供给不足15%及供给不足9%。重新调整全球NAND供需模型。摩根士丹利于7月5日发布最新全球科技产业报告，1058EB及1347EB，并偏好芯片制造商胜于模组制造商。AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的18%提高至2026年的32%，2027年进一步攀升至609EB， |
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