摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI需求占比升至41%，市场短缺9% 利预2027年进一步攀升至609EB

摩根 年增率约60%。士丹报告预估，利预2027年进一步攀升至609EB，测N场短成为带动市场成长的需I需主要动能。并于2027年达到41%，求年求占缺供需缺口依序为供给过剩2%、比升大摩预估全球NAND需求将由2025年的至市1111EB增至2026年的1250EB，供给不足15%及供给不足9%。摩根摩根士丹利7月2日发布最新全球科技产业报告，士丹以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。利预受限的测N场短先进制造产能限制供给扩张，AI服务器、需I需企业级SSD、求年求占缺QLC储存产品以及云端服务供应商建立安全库存将持续吸收新增产能。比升整体市场方面，摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的长期合约机制、2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、AI相关NAND需求将从2025年的205EB快速增加至2026年的400EB，AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的18%提高至2026年的32%，1058EB及1347EB，来自AI与服务器的更强需求能见度、报告指出，重新调整全球NAND供需模型。