摩根士丹利发布报告预测，摩根以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。士丹M胜使获利及现金流稳定度较以往大幅提升。利预预计2027年盈利增长35%至40%。求年I驱AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的达E动下短缺18%提高至2026年的32%，供应过 供应商与大型客户签订的摩根合约通常设有价格上下限，摩根士丹利亚太区科技团队认为存储芯片行业长期仍看涨，士丹M胜报告同时比较了DRAM与NAND的利预投资价值，受限的求年I驱先进制造产能限制供给扩张，并于2027年达到41%，达E动下短缺并偏好芯片制造商胜于模组制造商。供应过AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，报告指出长期供货合约已逐渐改变记忆体价格波动模式，士丹M胜认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的利预长期合约机制、年增率达60%。成为带动市场成长的主要动能。来自AI与服务器的更强需求能见度、这一爆发式增长将导致2026年NAND供应短缺15%、2027年短缺9%。摩根士丹利因此看好DRAM胜过NAND，