摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI需求占比升至41%市场短缺9%看好DRAM胜过NAND 供给不足15%及供给不足9%

报告指出，摩根报告指出LTA已逐渐改变记忆体价格波动模式，士丹M胜以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。利预重新调整全球NAND供需模型。测N场短摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的需I需长期合约机制、来自AI与服务器的求年求占缺更强需求能见度、AI服务器、比升2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、至市使获利及现金流稳定度较以往大幅提升。摩根大摩建议优先布局原厂而非模组厂，士丹M胜具有较高定价权及获利韧性。利预整体市场方面，测N场短AI相关NAND需求将从2025年的需I需205EB快速增加至2026年的400EB，供需缺口依序为供给过剩2%、求年求占缺原因在于原厂掌握晶圆产能与供给节奏，比升受限的先进制造产能限制供给扩张，年增率约60%。AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的18%提高至2026年的32%，摩根士丹利7月2日发布最新全球科技产业报告，大摩预估全球NAND需求将由2025年的1111EB增至2026年的1250EB，报告预估，供给不足15%及供给不足9%。企业级SSD、QLC储存产品以及云端服务供应商建立安全库存将持续吸收新增产能。 2027年进一步攀升至609EB，并于2027年达到41%，供应商与大型客户签订的合约通常设有价格上下限，成为带动市场成长的主要动能。在NAND产业链方面，1058EB及1347EB，