摩根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI驱动下供应短缺9%

AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB和2027年的609EB，士丹 这将导致2026年供应短缺15%、利预年增长率达60%。求年I驱DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的达E动下短缺长期协议机制、AI和服务器带来的摩根更强需求可见性、以及未来潜在的士丹HBM4E生产将进一步收紧供应。2027年短缺9%。利预报告指出，求年I驱并青睐芯片制造商而非模组厂商。达E动下短缺先进制造产能受限限制供应扩张，摩根摩根士丹利7月2日发布报告预测，士丹摩根士丹利因此建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，利预