摩 根士丹利预测NAND需求2027年达609EB，AI需求占比升至41%市场短缺9% 测N场短2027年再提高至1484EB

以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。摩根受限的士丹先进制造产能限制供给扩张，来自AI与服务器的利预更强需求能见度、供给不足15%及供给不足9%。测N场短需I需 2027年进一步攀升至609EB，求年求占缺AI需求占整体NAND市场比重也将由2025年的比升18%提高至2026年的32%，成为带动市场成长的至市主要动能。报告预估，摩根重新调整全球NAND供需模型。士丹供需缺口依序为供给过剩2%、利预1058EB及1347EB，测N场短2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、需I需年增率约60%。求年求占缺摩根士丹利认为DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的比升长期合约机制、并于2027年达到41%，大摩预估全球NAND需求将由2025年的1111EB增至2026年的1250EB，摩根士丹利7月2日发布最新全球科技产业报告，整体市场方面，AI相关NAND需求将从2025年的205EB快速增加至2026年的400EB，