摩根士丹利预测NAND需求2027年将达609EB且供应短缺9%，建议优先配置DRAM

以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。摩根近期半导体股修正属于短期速度调整而非基本面转差，士丹建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，利预优先配置具备长期合约护城河的需先配DRAM制造商。这将导致2026年供应短缺15%、求年且供缺建并偏好芯片制造商胜过模组制造商。将达存储芯片的应短议优投资论点正从全面上涨转向结构性分化，韩国证券研究机构负责人7月6日接受调查时也普遍认为，摩根士丹 DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的利预长期合约机制、摩根士丹利7月2日发布报告指出，需先配Meritz Securities分析师Lee Jin-woo预测记忆体供需将在2027年进一步吃紧。求年且供缺建报告预测AI驱动的将达NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，受限的应短议优先进制造产能限制供给扩张，年增率达60%，摩根报告建议投资者在存储芯片板块中精选标的，来自AI与服务器的更强需求能见度、2027年短缺9%。