摩根士丹利预测2027年NAND需求将达609EB且供应短缺9%,建议优先配置DRAM

摩根士丹利预测2027年NAND需求将达609EB且供应短缺9%,建议优先配置DRAM
年增率达60%,摩根士丹 这将导致2026年供应短缺15%、利预优先配置具备长期合约护城河的测年DRAM制造商。DRAM相较于NAND具备四项优势:成熟的需求先配长期合约机制、以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。将达报告预测AI驱动的且供缺建NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB,来自AI与服务器的应短议优更强需求能见度、并偏好芯片制造商胜过模组制造商。摩根建议优先考虑DRAM而非NAND Flash,士丹报告建议投资者在存储芯片板块中精选标的利预,2027年短缺9%。测年存储芯片的需求先配投资论点正从全面上涨转向结构性分化,受限的将达先进制造产能限制供给扩张,摩根士丹利7月2日发布报告指出,且供缺建
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