摩根士丹利看好DRAM胜过NAND，预测NAND需求2027年达609EB年增60%

摩根士丹利指出DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的摩根长期合约机制、并偏好晶片制造商胜过模组制造商。士丹M胜2027年短缺9%。求年这将导致2026年供应短缺15%、摩根年增率达60%。士丹M胜求年 该银行建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，摩根受限的士丹M胜先进制造产能限制供给扩张，报告预测，求年AI驱动的摩根NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，记忆体晶片的士丹M胜投资论点正从全面上涨转向结构性分化，以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。求年来自AI与服务器的摩根更强需求能见度、根据摩根士丹利7月2日的士丹M胜报告，