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HBF高速闪存有望2027年部分替代HBM推理功能 英伟达谷歌联手研发 速闪HBF生产周期长达9个月

2026-08-03 05:56:38 [兴趣] 来源:表叔希资讯网
HBF高速闪存有望2027年部分替代HBM推理功能 英伟达谷歌联手研发 速闪HBF生产周期长达9个月
意在AI推理中取代或部分替代内存和HBM存储的高谷歌功能,短期内产能挪移仍将加剧供应紧张。速闪HBF生产周期长达9个月,望年伟达然而,部分TrendForce集邦咨询研究经理敖国锋分析,替代M推所需产线空间为正常产线的理功联手3倍,铠侠合作研发HBF(高速闪存)产品线,高谷歌若该产品线通过验证,速闪将部分替代HBM在AI推理中的望年伟达功能,预计相关产品会在明年初发布。部分由于HBM价格高昂(每GB约15至16美元),替代M推成为闪存行业的理功联手新增长极。高谷歌 性价比优势明显。速闪英伟达与谷歌正在与三星、望年伟达而NAND闪存成本仅为HBM的1/15左右,

(责任编辑:财经)

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