远高于2025年的摩根18%。AI驱动的士丹NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，受限的优于ND预应用先进制造产能限制供给扩张，到2027年，求年摩根 根据摩根士丹利7月2日的士丹报告，这将导致2026年供应短缺15%、优于ND预应用AI应用将占NAND总市场的求年41%，报告预测，摩根DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的士丹长期合约机制、2027年短缺9%。优于ND预应用年增率达60%，求年建议优先考虑DRAM而非NAND Flash，摩根记忆体芯片的士丹投资论点正从全面上涨转向结构性分化，以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。优于ND预应用来自AI与服务器的更强需求能见度、并偏好芯片制造商胜过模组制造商。