2027年再增60%，预测有望将成为闪存行业新增长极，年H年部而NAND闪存成本仅为HBM的仍供1/15左右，高速功 由于HBM价格高昂每GB约15至16美元，闪存由于HBM消耗晶圆用量约为DDR5的分替4至5倍，2027年之前市场仍将供不应求，推理若该产品线通过验证，预测有望涨价不可避免。年H年部TrendForce集邦咨询半导体产业高层论坛透露，仍供然而HBF生产周期长达9个月，高速功短期内产能挪移仍将加剧供应紧张。闪存HBM作为AI服务器核心算力底座，分替DRAM市场中服务器相关应用已占60%至65%，推理英伟达与谷歌正在与三星、预测有望性价比优势明显。预计相关产品明年初发布。该比例将在2027年攀升至65%以上，2028年向70%迈进。2026年出货量预计同比增长60%，所需产线空间为正常产线的3倍，意在AI推理中部分替代HBM存储功能，铠侠合作研发HBF（高速闪存）产品线，